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2SJ162-E

MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P

Numéro d'article

2SJ162-E

Fabricant/Marque

Renesas Electronics America

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-3P-3, SC-65-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-3P

Dissipation de puissance (maximum)

100W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

160V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

7A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

Vgs(e) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±15V

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