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MTM231100L

MTM231100L

MOSFET P-CH 12V 4A SMINI-3
Numéro d'article
MTM231100L
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
SC-70, SOT-323
Package d'appareil du fournisseur
SMini3-G1
Dissipation de puissance (maximum)
500mW (Ta)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
12V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
4A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 1A, 4V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4V
Vgs (Max)
±8V
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Mots-clés de MTM231100L
MTM231100L Composants électroniques
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