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RFD16N05LSM9A
MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA
Numéro d'article
RFD16N05LSM9A
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareil du fournisseur
TO-252AA
Dissipation de puissance (maximum)
60W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
50V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
16A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
47 mOhm @ 16A, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id
2V @ 250mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Vgs (Max)
±10V
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