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RFD10P03LSM

MOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA

Numéro d'article

RFD10P03LSM

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

TO-252-3

Dissipation de puissance (maximum)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

10A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

200 mOhm @ 10A, 5V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1035pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

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