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NVR5124PLT1G

MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3

Numéro d'article

NVR5124PLT1G

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur

SOT-23-3 (TO-236)

Dissipation de puissance (maximum)

470mW (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1.1A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

230 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

4.3nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

240pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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