ON Semiconductor
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NVMD6P02R2G

NVMD6P02R2G

MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8-SOIC
Numéro d'article
NVMD6P02R2G
Fabricant/Marque
ON Semiconductor
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
-
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Puissance - Max
750mW
Package d'appareil du fournisseur
8-SOIC
Type FET
2 P-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
4.8A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1700pF @ 16V
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