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NVF6P02T3G
MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
Numéro d'article
NVF6P02T3G
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Package d'appareil du fournisseur
SOT-223 (TO-261)
Dissipation de puissance (maximum)
8.3W (Ta)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
10A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 16V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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