ON Semiconductor
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NVF3055L108T3G
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NVF3055L108T3G

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Numéro d'article
NVF3055L108T3G
Fabricant/Marque
ON Semiconductor
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Package d'appareil du fournisseur
SOT-223
Dissipation de puissance (maximum)
1.3W (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
3A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Vgs (Max)
±15V
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