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NTTS2P02R2G

MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO

Numéro d'article

NTTS2P02R2G

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Package d'appareil du fournisseur

Micro8™

Dissipation de puissance (maximum)

780mW (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2.4A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 16V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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