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NTS2101PT1

MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323

Numéro d'article

NTS2101PT1

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SC-70, SOT-323

Package d'appareil du fournisseur

SC-70-3 (SOT323)

Dissipation de puissance (maximum)

290mW (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1.4A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

6.4nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 8V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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