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NTR1P02LT1G

MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23

Numéro d'article

NTR1P02LT1G

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur

SOT-23-3 (TO-236)

Dissipation de puissance (maximum)

400mW (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1.3A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

220 mOhm @ 750mA, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.25V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 4V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

225pF @ 5V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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