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NTMKE4891NT1G

MOSFET N-CH 25V 129A ICEPAK

Numéro d'article

NTMKE4891NT1G

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

5-ICEPAK

Package d'appareil du fournisseur

4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9)

Dissipation de puissance (maximum)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

25V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

26.7A (Ta), 151A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2.6 mOhm @ 29A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4360pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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