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NTLJS3180PZTAG
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN
Numéro d'article
NTLJS3180PZTAG
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
6-WDFN Exposed Pad
Package d'appareil du fournisseur
6-WDFN (2x2)
Dissipation de puissance (maximum)
700mW (Ta)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
3.5A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
38 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
19.5nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 16V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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