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NTLJD2105LTBG

NTLJD2105LTBG

MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN
Numéro d'article
NTLJD2105LTBG
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
6-WDFN Exposed Pad
Puissance - Max
520mW
Package d'appareil du fournisseur
6-WDFN (2x2)
Type FET
N and P-Channel
Fonctionnalité FET
Standard
Tension drain-source (Vdss)
8V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
2.5A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Citation requise
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Coordonnées
Mots-clés de NTLJD2105LTBG
NTLJD2105LTBG Composants électroniques
NTLJD2105LTBG Ventes
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