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NTLGF3501NT2G

MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN

Numéro d'article

NTLGF3501NT2G

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

FETKY™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-VDFN Exposed Pad

Package d'appareil du fournisseur

6-DFN (3x3)

Dissipation de puissance (maximum)

1.14W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2.8A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

275pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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