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NTJS4160NT1G

MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6

Numéro d'article

NTJS4160NT1G

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Package d'appareil du fournisseur

SC-88/SC70-6/SOT-363

Dissipation de puissance (maximum)

300mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1.8A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

2.75nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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