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NTJS3157NT1G

NTJS3157NT1G

MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363
Numéro d'article
NTJS3157NT1G
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareil du fournisseur
SC-88/SC70-6/SOT-363
Dissipation de puissance (maximum)
1W (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
3.2A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
500pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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Coordonnées
Mots-clés de NTJS3157NT1G
NTJS3157NT1G Composants électroniques
NTJS3157NT1G Ventes
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