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NTDV18N06LT4G

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

Numéro d'article

NTDV18N06LT4G

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

DPAK

Dissipation de puissance (maximum)

2.1W (Ta), 55W (Tj)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

18A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 9A, 5V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

675pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

±15V

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