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NTD40N03R-1G

NTD40N03R-1G

MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK
Numéro d'article
NTD40N03R-1G
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Package d'appareil du fournisseur
I-PAK
Dissipation de puissance (maximum)
1.5W (Ta), 50W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
25V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
16.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5.78nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
584pF @ 20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de NTD40N03R-1G
NTD40N03R-1G Composants électroniques
NTD40N03R-1G Ventes
NTD40N03R-1G Fournisseur
NTD40N03R-1G Distributeur
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