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NTD14N03RT4

MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK

Numéro d'article

NTD14N03RT4

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

DPAK

Dissipation de puissance (maximum)

1.04W (Ta), 20.8W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

25V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2.5A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

95 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

1.8nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

115pF @ 20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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