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NTD110N02R-001

NTD110N02R-001

MOSFET N-CH 24V 12.5A IPAK
Numéro d'article
NTD110N02R-001
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Package d'appareil du fournisseur
I-PAK
Dissipation de puissance (maximum)
1.5W (Ta), 110W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
24V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
12.5A (Ta), 110A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
4.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3440pF @ 20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de NTD110N02R-001
NTD110N02R-001 Composants électroniques
NTD110N02R-001 Ventes
NTD110N02R-001 Fournisseur
NTD110N02R-001 Distributeur
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