L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
NTD14N03R-1G
MOSFET N-CH 25V 2.5A IPAK
Numéro d'article
NTD14N03R-1G
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Package d'appareil du fournisseur
I-PAK
Dissipation de puissance (maximum)
1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
25V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
2.5A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
95 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1.8nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
115pF @ 20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Citation requise
Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
En stock 5378 PCS
Coordonnées
Produits connexes
Mots-clés de NTD14N03R-1G
NTD14N03R-1G Composants électroniques
NTD14N03R-1G Ventes
NTD14N03R-1G Fournisseur
NTD14N03R-1G Distributeur
NTD14N03R-1G Tableau de données
NTD14N03R-1G Photos
NTD14N03R-1G Prix
NTD14N03R-1G Offre
NTD14N03R-1G Prix le plus bas
NTD14N03R-1G Recherche
NTD14N03R-1G Achat
NTD14N03R-1G Chip