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NTB125N02RT4

MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK

Numéro d'article

NTB125N02RT4

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

D2PAK

Dissipation de puissance (maximum)

1.98W (Ta), 113.6W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

24V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

95A (Ta), 120.5A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

4.6 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3440pF @ 20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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