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NIF9N05CLT1

MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223

Numéro d'article

NIF9N05CLT1

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-261-4, TO-261AA

Package d'appareil du fournisseur

SOT-223

Dissipation de puissance (maximum)

1.69W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

52V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2.6A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 100µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 35V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

3V, 10V

Vgs (Max)

±15V

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