Acheter ON Semiconductor NDT01N60T1G MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

NDT01N60T1G

MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223

Numéro d'article

NDT01N60T1G

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-261-4, TO-261AA

Package d'appareil du fournisseur

SOT-223 (TO-261)

Dissipation de puissance (maximum)

2.5W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

400mA (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

8.5 Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.7V @ 50µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

7.2nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

160pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 29749 PCS

Coordonnées

Produits connexes

NDT014

MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4