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NDH832P
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NDH832P

MOSFET P-CH 20V 4.2A SSOT-8
Numéro d'article
NDH832P
Fabricant/Marque
ON Semiconductor
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SMD, Gull Wing
Package d'appareil du fournisseur
SuperSOT™-8
Dissipation de puissance (maximum)
1.8W (Ta)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
4.2A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
Vgs (Max)
-8V
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