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NDDP010N25AZT4H
MOSFET N-CH 250V 10A TP-FA
Numéro d'article
NDDP010N25AZT4H
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareil du fournisseur
DPAK/TP-FA
Dissipation de puissance (maximum)
1W (Ta), 52W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
250V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
10A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
420 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
980pF @ 20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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