Acheter ON Semiconductor NDD60N550U1-35G MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-3

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

NDD60N550U1-35G

MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-3

Numéro d'article

NDD60N550U1-35G

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Last Time Buy

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Package d'appareil du fournisseur

IPAK (TO-251)

Dissipation de puissance (maximum)

94W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

8.2A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

550 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±25V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 40969 PCS

Coordonnées

Produits connexes

NDD60N360U1-1G

MOSFET N-CH 600V 114A IPAK