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NDD02N60Z-1G

MOSFET N-CH 600V IPAK

Numéro d'article

NDD02N60Z-1G

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Package d'appareil du fournisseur

I-PAK

Dissipation de puissance (maximum)

57W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2.2A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

4.8 Ohm @ 1A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

10.1nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

274pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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