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MVB50P03HDLT4G

INTEGRATED CIRCUIT

Numéro d'article

MVB50P03HDLT4G

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce

Last Time Buy

Emballage

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

D2PAK-3

Dissipation de puissance (maximum)

125W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

50A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 25A, 5V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4.9nF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

±15V

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