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MMFT960T1

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223

Numéro d'article

MMFT960T1

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-65°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-261-4, TO-261AA

Package d'appareil du fournisseur

SOT-223

Dissipation de puissance (maximum)

800mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

300mA (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.7 Ohm @ 1A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

65pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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