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IRLW610ATM

MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK

Numéro d'article

IRLW610ATM

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Package d'appareil du fournisseur

I2PAK (TO-262)

Dissipation de puissance (maximum)

3.1W (Ta), 33W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3.3A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.5 Ohm @ 1.65A, 5V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

240pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

±20V

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