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HGTP10N120BN

IGBT 1200V 35A 298W TO220AB

Numéro d'article

HGTP10N120BN

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Not For New Designs

Emballage

Tube

Type d'entrée

Standard

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3

Puissance - Max

298W

Package d'appareil du fournisseur

TO-220AB

Temps de récupération inversée (trr)

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

35A

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)

1200V

Type IGBT

NPT

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

Courant - Collecteur pulsé (Icm)

80A

Changer d'énergie

320µJ (on), 800µJ (off)

Frais de porte

100nC

Td (marche/arrêt) à 25 °C

23ns/165ns

Condition de test

960V, 10A, 10 Ohm, 15V

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