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HGTD1N120BNS9A

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

Numéro d'article

HGTD1N120BNS9A

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Type d'entrée

Standard

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Puissance - Max

60W

Package d'appareil du fournisseur

TO-252AA

Temps de récupération inversée (trr)

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

5.3A

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)

1200V

Type IGBT

NPT

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 1A

Courant - Collecteur pulsé (Icm)

Changer d'énergie

70µJ (on), 90µJ (off)

Frais de porte

14nC

Td (marche/arrêt) à 25 °C

15ns/67ns

Condition de test

960V, 1A, 82 Ohm, 15V

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