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FQU4P25TU
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FQU4P25TU

MOSFET P-CH 250V 3.1A IPAK
Numéro d'article
FQU4P25TU
Fabricant/Marque
ON Semiconductor
Série
QFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Package d'appareil du fournisseur
I-PAK
Dissipation de puissance (maximum)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
250V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
3.1A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
2.1 Ohm @ 1.55A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
420pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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