Acheter ON Semiconductor FQI11P06TU MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

FQI11P06TU

MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK

Numéro d'article

FQI11P06TU

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

QFET®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Package d'appareil du fournisseur

I2PAK (TO-262)

Dissipation de puissance (maximum)

3.13W (Ta), 53W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

11.4A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

175 mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±25V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 20548 PCS

Coordonnées

Produits connexes

FQI10N20CTU

MOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK