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FQB10N50CFTM-WS
MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
Numéro d'article
FQB10N50CFTM-WS
Fabricant/Marque
Série
FRFET®, QFET™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareil du fournisseur
D²PAK (TO-263AB)
Dissipation de puissance (maximum)
143W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
500V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
10A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
610 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2210pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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