Acheter ON Semiconductor FDS3512 MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

FDS3512

MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC

Numéro d'article

FDS3512

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

PowerTrench®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareil du fournisseur

8-SO

Dissipation de puissance (maximum)

2.5W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

80V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

70 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

634pF @ 40V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 37916 PCS

Coordonnées

Produits connexes

FDS3170N7

MOSFET N-CH 100V 6.7A 8-SOIC