ON Semiconductor
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FDS2070N3
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FDS2070N3

MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC
Numéro d'article
FDS2070N3
Fabricant/Marque
ON Semiconductor
Série
PowerTrench®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareil du fournisseur
8-SO
Dissipation de puissance (maximum)
3W (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
150V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
4.1A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
78 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1884pF @ 75V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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