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FDR838P

MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8

Numéro d'article

FDR838P

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SMD, Gull Wing

Package d'appareil du fournisseur

SuperSOT™-8

Dissipation de puissance (maximum)

1.8W (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

8A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3300pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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