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FDD5612

MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK

Numéro d'article

FDD5612

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

PowerTrench®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

TO-252-3

Dissipation de puissance (maximum)

3.8W (Ta), 42W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

5.4A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 30V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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