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FDB6021P

MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB

Numéro d'article

FDB6021P

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

PowerTrench®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-65°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

TO-263AB

Dissipation de puissance (maximum)

37W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

28A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 14A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1890pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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