ON Semiconductor
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FCP11N60N
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FCP11N60N

MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220
Numéro d'article
FCP11N60N
Fabricant/Marque
ON Semiconductor
Série
SupreMOS™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-220-3
Dissipation de puissance (maximum)
94W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
10.8A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
299 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
35.6nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1505pF @ 100V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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