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FCD900N60Z

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252-3

Numéro d'article

FCD900N60Z

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

SuperFET® II

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

TO-252, (D-Pak)

Dissipation de puissance (maximum)

52W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4.5A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

900 mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

720pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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