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BFL4004-1E

BFL4004-1E

MOSFET N-CH 800V 4.3A
Numéro d'article
BFL4004-1E
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3 Full Pack
Package d'appareil du fournisseur
TO-220F-3FS
Dissipation de puissance (maximum)
2W (Ta), 36W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
800V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
4.3A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
2.5 Ohm @ 3.25A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
710pF @ 30V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Coordonnées
Mots-clés de BFL4004-1E
BFL4004-1E Composants électroniques
BFL4004-1E Ventes
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