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ATP613-TL-H

ATP613-TL-H

MOSFET N-CH 500V 5.5A ATPAK
Numéro d'article
ATP613-TL-H
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
ATPAK (2 leads+tab)
Package d'appareil du fournisseur
ATPAK
Dissipation de puissance (maximum)
70W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
500V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
5.5A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
13.8nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 30V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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