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2SK536-TB-E

MOSFET N-CH 50V 0.1A

Numéro d'article

2SK536-TB-E

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

125°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur

SC-59

Dissipation de puissance (maximum)

200mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

50V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

100mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

20 Ohm @ 10mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

15pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±12V

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