Acheter Microsemi Corporation 2003 TRANS HBT RF BIPOLAR 55BT

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2003

TRANS HBT RF BIPOLAR 55BT

Numéro d'article

2003

Fabricant/Marque

Microsemi Corporation

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Bulk

Température de fonctionnement

200°C (TJ)

Type de montage

Chassis Mount

Colis/Caisse

55BT-1

Puissance - Max

12W

Package d'appareil du fournisseur

55BT-1

Type de transistor

NPN

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

500mA

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)

50V

Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 100mA, 5V

Fréquence - Transition

2GHz

Facteur de bruit (dB Typ @ f)

Gagner

8.5dB

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