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VN2210N2

MOSFET N-CH 100V 1.7A TO39-3

Numéro d'article

VN2210N2

Fabricant/Marque

Microchip Technology

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Bulk

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Package d'appareil du fournisseur

TO-39

Dissipation de puissance (maximum)

360mW (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1.7A (Tj)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

350 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.4V @ 10mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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