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LP0701N3-G

MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3

Numéro d'article

LP0701N3-G

Fabricant/Marque

Microchip Technology

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Bulk

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Package d'appareil du fournisseur

TO-92

Dissipation de puissance (maximum)

1W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

16.5V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

500mA (Tj)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.5 Ohm @ 300mA, 5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2V, 5V

Vgs (Max)

±10V

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